Qualcomm giới thiệu công nghệ sạc nhanh thế hệ mới Quick Charge 3.0

Trong khuôn khổ hội thảo 3G/TLE 2015 đang diễn ra tại Hồng Kông, Qualcomm Technologies, Inc., công ty con của Qualcomm Incorporated vừa cho ra mắt thế hệ tiếp theo của công nghệ sạc nhanh với Qualcomm Quick Charge 3.0. Quick Charge 3.0 là thế hệ thứ 3 của công nghệ này và đây là lần đầu Qualcomm sử dụng Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV), một thuật toán mới do chính Qualcomm Technologies phát triển và thiết kế nhằm cho phép các thiết bị cầm tay có thể quyết định mức năng lượng cần thiết tại bất cứ thời điểm nào để việc truyền tại điện năng đạt kết quả tối ưu. Với công nghệ Quick Charge 3.0, bạn có thể sạc một chiếc điện thoại từ 0 lên 80% chỉ trong vòng 35 phút. Trong khi đó, với một sản phẩm sử dụng công nghệ Quick Charge thông thường, thời gian này là khoảng 1,5 tiếng.

Quick Charge 3.0 được thiết kế để đạt hiệu suất cao hơn 38% so với Quick Charge 2.0 và vẫn đảm bảo các biện pháp bổ sung để bảo vệ pin thiết bị. Khi sử dụng công nghệ này của Qualcomm tốc độ sạc có thể đẩy nhanh lên 27% và giảm lượng điện năng thất thoát xuống 45% so với công nghệ Quick Charge 2.0. Ngoài ra, tốc độ sạc còn nhanh hơn gấp 2 lần so với Quick Charge 1.0.

Quick Charge 3.0 sẽ là một tính năng tùy chọn trên một số vi xử lý của Qualcomm Snapdragon bao gồm 820, 620, 618 và 430 và sẽ xuất hiện trên nhiều thiết bị di động trong năm sau.

Theo ông Alex Katouzian, Phó Chủ tịch cấp cao mảng quản lý sản phẩm của Qualcomm Technologies, Inc: “Chúng tôi đang cải thiện đáng kể khả năng và lợi ích mà Quick Charge 3.0 mang lại nhằm thúc đẩy công nghệ sạc nhanh. Quick Charge 3.0 giải quyết một vấn đề chính của người sử dụng đó là giúp họ sạc pin nhanh hơn và hiệu quả hơn thông qua công nghệ hàng đầu và hệ sinh thái mạnh của những nhà sản xuất thiết bị và phụ kiện hàng đầu”.

Một cải thiện nữa mà công nghệ Quick Charge 3.0 đem lại đó là nâng cao tính linh hoạt so với công nghệ Quick Charge 2.0. Trong khi Quick Charge 2.0 chỉ cung cấp 4 hiệu điện thế bao gồm 5V, 9V, 12V và 20V, Quick Charge 3.0 cung cấp sự linh hoạt với nhiều mức hiệu điện thế từ 200mV đến 3,6V cho đến 20V. Điều này cho phép các thiết bị di động đạt đến hiệu điện thế yêu cầu, giảm lượng điện hao hụt, tăng hiệu quả và cải thiện các vấn đề về nhiệt.

Giáo sư Sang. G. Kim, hãng điện tử LG Electronics cho biết: “LG Electronics đã sử dụng công nghệ sạc nhanh Quick Charge 2.0 trong những thiết kế smartphone gần đây và đã đạt được nhiều thành công. LG luôn hướng đến việc thiết kế các thiết bị để đem đến trải nghiệm tuyệt vời cho người dùng. Giải pháp của Qualcomm Technologies phù hợp với triết lý này và sạc nhanh đã trở thành một trong những tính năng phổ biến nhất trên các thiết bị”.

Quick Charge 3.0 vẫn tích hợp được với các phiên bản cũ của công nghệ sạc nhanh trước cũng như các loại cổng cắm cũ, bao gồm USB-C, cũng như đáp ứng những tiêu chuẩn về chất lượng và an toàn.

Sự thay đổi trên Quick Charge 3.0 sẽ là tối thiểu so với các thiết kế hiện nay, giúp các nhà sản xuất thiết bị tốn ít chi phí cho công nghệ này. Những nhà sản xuất và nhà mạng có sử dụng hệ sinh thái của Quick Charge đều có thể áp dụng công nghệ này và hiện có hơn 20 nhà sản xuất thiết bị gốc và hơn 90 loại phụ kiện hỗ trợ công nghệ này.

Hiện tại có hơn 40 thiết bị di động và hơn 100 loại phụ kiện đang hỗ trợ công nghệ Quick Charge 2.0

Theo: ICT News
Tin gốc: Qualcomm giới thiệu công nghệ sạc nhanh thế hệ mới Quick Charge 3.0

http://ift.tt/1MoW46j by sukiennong.vn